電化學(xué)作站/多能腐蝕測(cè)量?jī)x 型號(hào):DP-CS150
DP-CS電化學(xué)作站采用浮地式*，具有出色的穩(wěn)定性和度，的硬件和能善的軟件，為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等域的科作者提供了*的科研平臺(tái)。
具體應(yīng)用于：
（1） 電合成、電沉積（電鍍）、陽(yáng)氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究；
（2）電化學(xué)分析研究；
（3）能源材料（鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和電容器等）、能材料以及傳感器的性能研究；
（4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià)；
（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。
硬件點(diǎn)
● 雙通道相關(guān)分析器和雙通道速16bit /精度24bit AD轉(zhuǎn)換器
● 內(nèi)置FRA頻響分析儀，頻率范圍 10μHz ~1MHz
● 帶寬輸入阻抗的放大器
● 內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器
● 率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)
● 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V（可擴(kuò)展至±200V）
● 電流控制范圍：±2.0A（可擴(kuò)展至±5.0A）
● 電位分辨率：10μV，電流分辨率：10pA（可延伸至100fA）
軟件點(diǎn)
① 數(shù)據(jù)分析
伏安曲線的平滑、積分和微分運(yùn)算，計(jì)算各氧化還原峰的峰、峰面積和峰電位等；
化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析，計(jì)算Tafel斜率ba，bc，腐蝕電流密度icorr，限擴(kuò)散電流、化電阻Rp和腐蝕速率等，還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。
② 實(shí)時(shí)存儲(chǔ)
實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù)，即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷，中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。
③ 定時(shí)測(cè)量
測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量能， 對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化征時(shí)，可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間，讓儀器在無(wú)人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量，提實(shí)驗(yàn)效率。
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恒電位控制范圍：±10V
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恒電流控制范圍：±2.0A
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電位控制精度：0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)±1mV
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電流控制精度：0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)
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電位靈敏度：10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)
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電流靈敏度：<10pA
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電位上升時(shí)間：﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)
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電流量程：2A～200nA, 共8檔
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參比電輸入阻抗：1012Ω||20pF
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*輸出電流：2.0A
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槽壓輸出：±21V
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電流掃描增量：1mA @1A/mS
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CV和LSV掃描速度：0.01mV～10000V/s
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電位掃描電位增量：0.076mV @1V/mS
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CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s
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DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s
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SWV頻率：0.001～100KHz
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CV的*小電位增量：0.075mV
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AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit @1kHz
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電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置
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DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μS
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低通濾波器 ：8段可編程
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通訊接口：USB2.0
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儀器重量：6.5Kg
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外形尺寸（cm）：36.5(W)X30.5 (D)X16 (H)
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信號(hào)發(fā)生器
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頻率響應(yīng)：10μHz～115KHz
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交流信號(hào)幅值：1mV～2500mV
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頻率度：0.005%
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直流偏壓：-10V～+10V
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DDS輸出阻抗：50Ω
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波形：正弦波，三角波，方波
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正弦波失真率：<1%
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掃描方式：對(duì)數(shù)/線性，增加/下降
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信號(hào)分析器
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*積分時(shí)間：106個(gè)循環(huán)或者105S
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測(cè)量時(shí)間延遲：0～105秒
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*小積分時(shí)間：10mS 或者個(gè)循環(huán)的*長(zhǎng)時(shí)間
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直流偏置補(bǔ)償
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電位補(bǔ)償范圍：-10V～+10V
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電流補(bǔ)償范圍：-1A～+1A
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帶寬調(diào)整：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8可調(diào)
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能方法
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DP-CS120
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DP-CS150
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DP-CS300
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DP-CS310
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DP-CS350
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DP-CS360
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穩(wěn)態(tài)化
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開(kāi)路電位測(cè)量（OCP）
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恒電位化（i-t曲線）
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恒電流化
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動(dòng)電位掃描（TAFEL曲線）
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動(dòng)電流掃描（DGP）
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暫態(tài)化
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意恒電位階梯波
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意恒電流階梯波
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恒電位階躍（VSTEP）
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恒電流階躍（ISTEP）
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快速電位脈沖
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快速電流脈沖
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計(jì)時(shí)分析
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計(jì)時(shí)電位法（CP）
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計(jì)時(shí)電流法（CA）
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計(jì)時(shí)電量法（CC）
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伏安分析
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線性掃描伏安法（LSV）
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線性循環(huán)伏安法（CV）
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階梯循環(huán)伏安法（SCV）
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方波伏安法（SWV）
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差分脈沖伏安法（DPV）
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常規(guī)脈沖伏安法（NPV）
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常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）
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交流伏安法（ACV）
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二次諧波交流伏安（SHACV）
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溶出伏安
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恒電位溶出伏安
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線性溶出伏安
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階梯溶出伏安
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方波溶出伏安
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交流阻抗
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電化學(xué)阻抗（EIS）～頻率掃描
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電化學(xué)阻抗（EIS）～時(shí)間掃描
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電化學(xué)阻抗（EIS）～電位掃描（Mott-Schottky曲線）
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腐蝕測(cè)量
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循環(huán)化曲線（CPP）
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線性化曲線（LPR）
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電化學(xué)噪聲（EN）
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電偶腐蝕測(cè)量（ZRA）
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氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT）*
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電池測(cè)量
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電池充放電測(cè)試
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恒電流充放電
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光電測(cè)量
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電致調(diào)光測(cè)量 *
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光譜儀測(cè)量 *
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擴(kuò)展測(cè)量
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盤(pán)環(huán)電測(cè)試 *
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數(shù)字記錄儀
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波形發(fā)生器
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圓盤(pán)電機(jī)控制
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注： * 氫擴(kuò)散及旋轉(zhuǎn)盤(pán)環(huán)電測(cè)試需配置DP-CS1001A*恒流源或采用DP-CS2350雙恒電位儀。
* 光電測(cè)量能用戶(hù)選配。
* 產(chǎn)品3年質(zhì)保。
儀器配置：
1）儀器主機(jī)1臺(tái)
2）測(cè)試與分析軟件1套
3）用電解池（含鹽橋和排氣管）1套
4）輔助、參比、作電各1支
5）模擬電解池1個(gè)
6）電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
7）電電纜線1條
8）電架（選配 *）
9）屏蔽箱（選配 *）
10）電腦（選配 *）